用途场景
研发
实验室研发、新产品开发、技术研究
生产
生产线检测、工艺控制、制造过程监控
品控
质量检验、来料检测、成品测试
合规认证
计量检测、仪器校准、精度验证
教学实训
教学实验、技能培训、实训演示
维修
设备维修、故障诊断、维护保养
规格参数
【产品概述】
TH530系列雪崩测试仪是同惠电子针对于半导体器件UIS （EAS）、EAR参数测量问题的解决方案。
主要用于测量MOSFET 、IGBT 、Diode和双极性器件（带钳位）的雪崩击穿特性（电压、能量等）。通过给被测器件施加可控制的感性能量，判断出被测器件是否能正常吸收和承受电感释放的能量。经过雪崩测试的器件，就可安全地用于有反向电动势的感性负载上。
快速选型
型号 | TH530-25100A | TH530-25100B | TH530-25200A | TH530-25200B |
雪崩电压 | 2500V | |||
峰值电流 | 100A | 200A | ||
通道数 | 1 | 2 | 1 | 2 |
A. 泄漏测试:可选择启用
每次雪崩测试前，在栅极电压设置为0的情况下，用户设置的泄漏电压会被施加到被测件上，读取电流检测器测量值。根据测试仪的设置，可以在雪崩测试前、测试后或测试前后对被测件进行泄漏测试。这不是测量实际漏电电流，而是确定被测件或测试夹具中是否存在短路的简单测试。
测试仪内部的漏电稳压器电压可从2V设置到为被测试装置雪崩测试设置的漏极电压。漏电流大于1mA会被检测为漏电故障。漏电流最大限制为 8mA。
B. 雪崩测试原理
当高速开关和被测件接通时， 漏极电流增加，到达指定的比较点时，高速开关与栅极关断，断开漏极电压电源。关断时，电感中存储的能量会产生较高的电压，迫使被测件（以NMOS为例）进入雪崩状态，电流路径由续流二极管维持。 因此，电感器中存储的所有能量都转移到了被测件上。此时电感上能量即为设定的可控击穿能量，也即NMOS的雪崩能量（EAS）。
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