用途场景
规格参数
产品概览
SPT1000A静态参数测试系统可用于各类二极管、三极管、绝缘栅型场效应管、结型场效应管、单向和双向可控硅、普通和高速光耦、整流桥、共阴共阳二极管及多阵列器件等各类分立器件的静态参数测试。
系统搭配了业界领先的源表(SMU)和精密LCR表。使得本系统可以在3kV和1000/2000A的条件下实现精确测量和参数分析,漏电流测试分辨率高达fA级,电压测试分辨率最高可达nV级,以及3000V高压下的寄生电容的精密测量。本系统不仅适用于传统硅基功率器件,也可用于新型功率半导体器件如碳化硅、氮化镓、氧化镓等的静态参数测试。
SPT1000A在测试夹具设计上采用一站式设计,被测件插入夹具后,可以一次性完成高压、大电流,寄生电容相关测试,无需更换测试夹具和测试连接,简化操作步骤,提高测试效率。
系统采用自动化测试软件平台,简化数据管理,一次配置后完成多项参数测量,方便快捷。且能够依据客户需求进行定制化测试和数据报表生成。
产品介绍
高灵活度:可同时兼顾分立器件和模块的静态参数测试。
高兼容性:支持不同封装种类器件和功率模块测试,兼容加热板和热流仪控温测试。
Qg测试:提供栅极电荷测试能力。
高精度:选用高精度源表进行电压电流参数测试。
全范围C-V能力:电容测试范围:pF ~nF
偏置能力:可施加高达 3kV 直流偏置
宽动态范围:电压测试范围:uV 至 3kV
电流测试范围:pA 至 1000A(脉冲模式)
产品参数
基本参数
适用于功率器件、功率模块直流特性分析,最高可达3000V/1000A(可扩展2000A);
高集成度测试系统,一站式完成高压、大电流、电容参数测试,无需更改连线;
微欧级导通电阻测量能力;
在高电压偏置下进行精确的漏电流测试和电容测试;
内置加热装置,加热范围从室温至+200摄氏度;
在高达3000 V直流偏置下,完全自动化的电容(Ciss、Coss、Crss等)测量;
高电流脉冲测量,脉宽时间分辨率可达1微秒;
栅极电荷测量,可实现封装器件测试或晶圆片上测试;
带有安全互锁装置的测试夹具,可配合热流仪进行冷、热温度测试;
支持JEDEC对三代半导体如SiC MOSFET的阈值电压Vth测试要求;

软件介绍
设备管理
提供设备控制和管理功能,可对测试系统使用的仪器资源如源表、LCR表等进行标准化管理,不用修改或编译软件即可适应相似仪器的变更或升级替换。
故障诊断功能,能自动检测测试设备工作情况,如有工作异常情况及时报警。
自动测试
软件自动控制设备按项目或产品设定的流程完成组件自动测试,并将测试数据测试过程自动保存到测试数据库。
扩展能力
可根据需要灵活增减测试参数,并通过图形化手段灵活创建和编辑各参数的测试方法和流程。
提供图形化的测试序列编辑环境,为用户提供可视化、组装式的测试序列创建平台。
软件具有二次开发能力,可进行测试序列、数据处理算法、操作员界面的二次开发。
数据管理
可以显示测量波形、曲线等;具有测量数据查询、数据处理、自动生成报表并打印的能力;对测试数据进行分析、判断。
权限管理
有用户权限管理功能,用于设置不同工作人员的权限。

夹具设计
SPT1000A在测试夹具设计上采用一站式设计,被测件插入夹具后,可以一次性完成高压、大电流,寄生电容相关测试,无需更换测试夹具和测试连接,简化操作步骤,提高测试效率。

测试能力
| 测试类型 | 符号 | 参数/特性表征 |
|---|---|---|
| 击穿特性测试 | V(BR)DSS V(BR)CEO | 漏-源击穿电压 集电极-发射极击穿电压 |
| 导通特性测试 | RDS(ON) VDS(ON) VCE(SAT) VBE(ON) IDSX | 导通电阻 导通电压降 集电极-发射极饱和电压 基极-发射极开启电压 饱和电流 |
| 阈值电压测试 | VGS(TH) VBEON | 栅极开启电压阈值 基极发射器开启电压阈值 |
| 电容特性测试 | CISS COSS CRSS Rg | 输入电容 输出电容 正向转移电容 栅极内阻 |
| 传递参数 | GFS | 正向传递导纳 |
| 泄漏特性 | IDSS IGSS IB ICBO ICEO IR | 漏源极泄漏电流 栅极/基极泄漏电流 基极漏电流 集电极-基极正向额定电流 集电极-发射极正向额定电流 二极管反向漏电流 |
主要性能指标
| 参数名称 | 技术指标/特征表征 |
|---|---|
| 电源最大电压 | ±3000V |
| 源漏极测试分辨率 | 电压分辨率100 nV,电流分辨率0.1 fA; |
| 总电源最大电流 | 最大输出电流±1000A(脉冲) |
| 测试温度范围 | -50℃~200℃ |
| 门极漏流测试栅极漏电流测试精度 | ±1pA |
| 门极测试分辨率 | 电压分辨率100 nV,电流分辨率0.1 fA; |
| 击穿转折电压 | 击穿电压测试最大电压3000V |
| 电流测试精度 | ±20pA |
| 电压测试精度 | ±600mV(@3000V量程) ±300mV(@1500V量程) |
| 漏极漏流测试精度 | 最大电压3000V,漏极电流测试精度±10pA |
| 门级阈值电压测试精度 | ±5uV,测试方法支持IEC60747-8以及JEP183; |
| 导通电阻精度 | 最大电流1000A,测试精度±0.025mΩ; |
| 电容测试频率范围 | 4 kHz to 8 MHz测试Ciss/Coss/Crss; |
| 电容参数测试 | 最大偏压±3000V支持Ciss/Coss/Crss测试,可定制工装,电容测试精度不劣于3%; |
| 被测件测试连接 | 无需更换测试底座和连接线,一次安装被测件可以完成电压、电流、导通电阻和电容参数测试; |
| 脉冲电流宽度 | 10uS~1mS脉宽可调,脉冲分辨率1us; |
| 其他 | 16bit AD数字化仪,1MSa/s,含功率器件静态特征分析软件、图形化编程环境驱动和测试脚本创建软件开发环,可支持多仪器测 试控制管理软件。 |
C-V测量指标
| 频率(Hz) | 测试信号电压范围 | 显示范围 | 相对精度 |
|---|---|---|---|
| 测试频率DC, 10Hz ~ 1M | 10mV~ 2Vrms | ± 1.000000 aF to 999.9999 EF | 基本阻抗测量精度: ±0.08% |
大电流脉冲源指标
| 测量范围 | 可编程分精度 | 可编程分辨率 | 脉冲时长 | 脉冲分辨率 |
|---|---|---|---|---|
| 0~200A | ±1% of setting | 0.1A | 100~1000μS | 1μS |
| 200~1000A | ±1% of setting | 1A | 100~1000μS | 1μS |
