用途场景
研发
实验室研发、新产品开发、技术研究
生产
生产线检测、工艺控制、制造过程监控
品控
质量检验、来料检测、成品测试
合规认证
计量检测、仪器校准、精度验证
教学实训
教学实验、技能培训、实训演示
维修
设备维修、故障诊断、维护保养
规格参数
产品概览
微电子与集成电路实验系统是一个涵盖了微电子学与集成电路相关知识的综合性实验平台，可为高校提供微电子与集成电路课程实验；为科研机构和企业提供测试与验证，为半导体行业提供专业技能培训，从而提高从业人员的技术水平。
微电子与集成电路实验系统由示波器、函数信号发生器、2台高精度数字源表、LCR数字电桥。
产品介绍
· 通过引进先进的设备，实现教学实验与产业无缝接轨
· 通过平台改革，实现理论课程和实验的实时同步更新
· 以高精度通用仪表为核心，搭建先进的模块化实验环境
· 以产业测试方法为依据，培养学生解决复杂工程问题的能力
· 以产业应用为导向，实现实验教学与产业测试的无缝对接
· 通过搭建“积木式”的实验环境，培养学生的兴趣以及创新能力
产品参数
| 设备类型 | 参数值 |
|---|---|
| 示波器 | 通道数：4 带宽：100MHz 每通道采样率：1GS/s 记录长度：5M 垂直分辨率：8bit 显示屏尺寸：≥9英寸 须具备课件功能，在显示器上提供实验练习指引，可以禁用自动设置、光标和自动测量，自动测量 |
| 函数信号发生器 | 通道数：2 带宽：60 MHz 垂直分辨率：14bit 内置波形：正弦波、方波、脉冲波、锯齿波、噪声波和 45 种常用任意波形 正弦波范围：1μHz至60 MHz 方波范围：1μHz至30MHz 锯齿波：1μHz~2MHz 脉冲波：1μHz至30MHz 任意波形：1μHz~30MHz |
| 高精度数字源表 | 数量：≥2台 源测量单元通道数：≥1个 工作区：四象限电压/电流源 测量电压量程：20mV-200V 最小电压测量精度分辨率：≤500nV 测量电流量程：10nA-1A 最小电流测量精度分辨率：≤500fA 测量电阻量程：2Ω-200MΩ 最小电阻测量精度分辨率：≤10μΩ 测量分辨率：≥6位半 基本准确度：≤0.012% 读取速度：≥3000读数/秒 编程：支持SCPI/TSP脚本编程 配测试线缆：8608型测试线 触摸屏操作：≥5英寸容触摸屏图形 用户界面：GUI |
| LCR数字电桥 | 测试频率：20Hz-100kHz 分辨率：最高10mHz 基本精度：≤0.05% 测试速度：最快13ms/次，具有变压器参数测试功能 内阻：30Ω、100Ω可选内阻 具有201点列表扫描测试功能 内建比较器，10档分选和计数功能 内部文件存储和外部U盘文件保存 测量数据可直接保存到U盘 显示屏尺寸：≥4寸TFT液晶显示 中英文可选操作界面 配隔直测试夹具，电压≥150V 测试参数至少包含L、C、R、|Z|、D、Q、|Y|、G、X、θd、θr、RDC、Vm、Im，△% |
| 半导体材料电阻率实验套件 | 套件主要用于半导体材料的电阻率测试，通过对不同材料进行电性能测试，掌握材料特性与电性能表征的关系。 提供不少于6种样品，包括N型、P型的不同尺寸及电阻率样片，至少包括N型1.6-1.8、N型5-9、N型10-13、P型1.6-1.8、P型5-9、P型10-13测试样片各一片。 提供控温实验模块为被测样片加温，温度范围室温~70℃。 配备上位机测试软件，可完成多次重复测试，自动计算电阻率。 探针间距：不小于1mm。 探针合力：5~7N。 探针游移率：不大于0.5%。 实验套件配备不小于4寸的全彩屏幕，用于展示测试数据与温度控制。 |
| PN结变温测试实验套件 | 配合数字源表，提供二极管变温测试的温度环境，从室温到60度，温度精度0.3度，可编程控制温度变化曲线。 电阻率测试软件可与源表直接通讯，自动识别，无需进行参数配置，电阻率测试方法提供简单公式计算和系数修正计算两种方式，可根据使用要求选择相应测试方法，软件可直接绘制测试曲线，输出计算结果。 实验套件配备不小于4寸的全彩屏幕，用于展示测试数据与温度控制 |
| 半导体器件静态实验套件 | 至少提供BJT，MOSFET、IGBT器件测试实验板。 可以适配多种封装形式（不少于TO-247、TO-220、TO-92、TO263），最高电压支持200V，电流支持1A，线路漏电流小于10pA。 支持源表到器件的两线法、四线法连接，有效减低连接链路的电压损耗。 配合上位机软件可以进行器件的静态参数、寄生电容和I-V曲线测试。 实验套件采用全铝外壳，实验回路使用PCB形式展示，不同的测试接口采用不同的背景灯提示。 |
| 半导体动态参数实验套件 | 实验套件主要用于测试MOSFET器件的动态开关特性，测试开启时延等指标。 可采用单脉冲与双脉冲法测试器件开启及关断参数。 可测量参数包括导通延时、关断延时、开关损耗、上升时间、下降时间、开启时间、关断时间。栅极电阻提供不少于三种，至少包含2Ω、10Ω与200Ω。 栅极电压范围：-10~20V可调。 提供示波器测试接口，可测试Vgs、Id、Vds测试波形。 |
| 晶体管特征频率测试实验套件 | 实验模块主要配合源表、示波器和信号源测试晶体管特征频率参数。 套件中选用NPN型晶体管，提供两台源表的六路连接接口。 实验模块可用于特征频率测试、截止频率测试和h参数测试。 测试模块配有加热模块，可通过触摸屏设置加热温度。 |
| VCO压控振荡器实验套件 | 实验电路板上至少包含了两种典型的VCO电路。 其中包含集成芯片TL1799的电路部分。 使用独立运放搭建的VCO实验电路部分。 实验套件通过两种不同类型的电路帮助用户了解电源管理芯片的基本原理，并对其相关的电气特性进行测试。 至少完成分立器件电路测试、集成芯片电路静态功耗测试、集成芯片占空比输出精度测试、集成芯片输出频率精度测试、集成芯片SET电阻对应输出频率的关系等试验。 |
| 集成运放芯片实验套件 | 模拟电路实验模块采用PCB设计，包括可替换实验模块、主控屏幕、可更换电阻与可更换电容。 主控屏幕：尺寸≥4英寸，全用全彩多点电容触摸屏设计，内嵌实验程序，可展示实验操作方法。 可进行的测试内容至少包括输入失调电压测试、输入失调电流测试、输入偏置电流测试、静态功耗测试、转移速率测试、开环差模电压增益测试、不失真输出电压测试和共模抑制比测试。 提供可进行更换的电阻不少于12种，接口均采用纯铜2mm测试端子。 测试芯片采用压接转接板连接，方便更换测试器件。 |
| MOS器件动态开关特性测试实验套件 | 实验套件主要用于测试MOSFET器件的动态开关特性，测试开启时延等指标。 可采用单脉冲与双脉冲法测试器件开启及关断参数。 双脉冲测试结果中可展示Vgs、Vds及Id波形，在实验操作指导中清晰给出开关参数的计算方法。 可测量参数至少包括导通延时、关断延时、开关损耗、上升时间、下降时间、开启时间、关断时间。 栅极电阻提供不少于三种，至少包含2Ω、10Ω与200Ω。 栅极电压范围：-10~20V可调。 实验套件采用全铝外壳，实验回路使用PCB形式展示，不同的测试接口采用不同的背景灯提示。 |
部分实验项目
| 套件名称 | 实验项目 |
|---|---|
| 半导体材料电阻率实验套件 | 半导体器件Ⅳ特性测试实验 半导体器件CV特性测试实验 半导体材料电阻率测试实验 |
| PN结变温测试实验套件 | PN结变温测试实验 PN结正向压降与温度关系的研究与应用 |
| 半导体器件静态实验套件 | IV特性实验 CV特性实验 |
| 半导体动态参数实验套件 | MOS器件动态开关特性分析实验 MOS器件开关损耗分析实验 |
| 晶体管特征频率测试实验套件 | 晶体管静态工作点分析实验 晶体管特征频率参数分析实验 |
| VCO压控振荡器实验套件 | 分立器件电路测试 集成芯片电路静态功耗测试 集成芯片占空比输出精度测试 集成芯片输出频率精度测试 集成芯片SET电阻对应输出频率的关系等试验 |
| 集成运放芯片实验套件 | 输入失调电压测试实验 输入失调电流测试实验 输入偏置电流测试实验 转移速率测试实验 开环差模电压增益测试实验 不失真输出电压测试和共模抑制比测试实验 |
| MOS器件动态开关特性测试实验套件 | MOS器件静态特性测试实验 MOS器件寄生电容测试实验 |
