用途场景
研发
实验室研发、新产品开发、技术研究
生产
生产线检测、工艺控制、制造过程监控
品控
质量检验、来料检测、成品测试
合规认证
计量检测、仪器校准、精度验证
教学实训
教学实验、技能培训、实训演示
维修
设备维修、故障诊断、维护保养
规格参数
产品概览
高压芯片电参数测试系统主要面向硅基IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT等功率器件进行高压与大电流电参数测试，完成晶圆级电参数评价。
产品介绍
· 硅基 IGBT/SiC MOSFET/GaN HEMT一站式高压测试
· 高压大电流精准测试，赋能功率器件性能评价
· 晶圆级电参数检测，实现芯片品质高效把控
· 聚焦晶圆级评价，助力高压功率芯片性能升级
主要应用领域
| 功率半导体器件研发与表征 | SiC MOSFET、SiC SBD、GaN HEMT、IGBT、FRD 高压功率MOSFET、超快恢复二极管、晶闸管/可控硅 功率模块、封装器件、单管芯片 |
| 第三代半导体材料与器件 | SiC、GaN 、Ga₂O₃、金刚石等宽禁带材料器件 高压外延、终端结构、JTE、FLR结构验证 |
| 新能源与电力电子方向 | 车载电源、 OBC、充电桩、光伏逆变器、储能变流器 轨道交通、工业电源、高压变频器核心器件测试 |
| 8英寸晶圆功率器件中测（CP测试） | 8英寸功率晶圆上芯片级高压、大电流筛选 工艺均匀性、 良率分析、击穿特性批量摸底 |
| 器件可靠性与失效物理研究 | 二维材料、氧化物、钙钛矿、有机半导体、忆阻器、 阻变存储器 |
| 新型功率器件结构研究 | 超结MOSFET、沟槽型功率器件、集成二极管结构 |
核心测试内容
| 高压I-V特性（最高3000V） | 反向击穿电压VBR、BV 高反向偏置下漏电流IR 栅极漏电流、栅击穿特性 高场下击穿机理、软/硬击穿判断 高电压下温度依赖性测试 |
| 大电流I-V特性（最大1500A） | 正向导通特性IF、VF 导通电阻Rds(on)、Ron 大电流下漂移、自然效应 高电流密度下器件饱和特性 功率二极管正向压降、通态特性 |
| 功率器件关键参数测试 | 阈值电压Vth(GS) 跨导gm 栅电荷Qg（部分高端机型支持） 体二极管正向特性、反向恢复特性（选配） 阻断电压、通态损耗、开关损耗相关基础参数 |
| 8英寸晶圆手动探针测试 | 整片8英寸功率晶圆芯片点测 多芯片击穿电压、漏电流均匀性统计 小批量器件筛选、分级、分bin 碎片、小片、剥离样品的快速电性验证 |
| 可靠性与极端工况测试 | 高偏压长时间应力测试 大电流脉冲应力 雪崩能量初步评估 短路安全工作区（SCSOA）摸底 |
| 封装前芯片级关键表征 | 芯片级阻断能力 芯片导通电阻 终端结构有效性验证 边缘终端、JTE、场板结构优化测试 |
技术参数
| 最大测试电压 | ±3000v(可扩展至10kv) | |
| 源漏极测试分辨率 | 电压分辨率100 nV 电流分辨率0.1 fA | |
| 最大测试电流 | 1500A(Pulse) | |
| 门极漏流测试栅极漏电流测试精度 | 1pA | |
| 电流测试精度 | ±20pA | |
| 电压测试精度 | ±600mv(@3000V量程) ±300mV(@1500V量程) | |
| 漏极漏流测试精度 | @最大电压3000V，漏极电流测试精度±10pA@3000V | |
| 导通电阻精度 | @导通电阻测试最大电流1000A，测试精度±0.025mΩ | |
| 电容参数测试 | 最大偏压±3000V支持Ciss/Coss/Crss测试，可定制工装，电容测试精度不劣于3% | |
| 探针台 | 操作方式 | 手动 |
| Chuck盘尺寸 | 8寸 | |
| Chuck平面度 | 15μm | |
| 击穿电压 | >3000V | |
| X/Y/θ平台行程 | 粗调行程：205mmx205mm 微调行程：±5mmx±5mm 微调精度：1μm | |
| 金相显微镜 | 物镜：2X、5X、10X、20X、50X可选 目镜：10X、20X可选 管镜：1X、2X可选 |
