用途场景
研发
实验室研发、新产品开发、技术研究
生产
生产线检测、工艺控制、制造过程监控
品控
质量检验、来料检测、成品测试
合规认证
计量检测、仪器校准、精度验证
教学实训
教学实验、技能培训、实训演示
维修
设备维修、故障诊断、维护保养
规格参数
产品概览
<p><span style="font-size: 19px;"><strong>SiC、GaN等分立器件的开关、Qg、反向恢复、短路、雪崩等测试及参数分析。</strong></span></p><p><span style="font-size: 19px;"><strong>各种封装接口定制化开发。</strong></span></p>
产品介绍
高效率：测试结束自动完成数据记录和取点判决，按照标准自动生成测试结果。
高精度：测试使用12bit高分辨率示波器，和高带宽光隔离探头。
高灵活度：多种测试板和驱动板配置，超低杂散电感设计，支持高压/中压/低压/PMOS等器件测试,以及短路和雪崩测试。
数据管理：实时保存测试结果，可选择同时保存波形数据，自动生成测试报告。
使用方便：外观符合人体美工学，软件操作简单易学。
安全防护：防爆、防触电、防烫伤、过流保护、过压保护。
测试类型
| 测试类型 | 参数类型 | 符号和特性表征 |
|---|---|---|
| 双脉冲测试（上、下管） | 时间参数 | 第二次开通延时时间td(on)，第二次开通上升时间tr，第二次开通时间ton，第一次关断延时时间td(off)，第一次关断下降时间tf，第一次关断时间toff |
| 能量损耗参数 | 第二次开通能量损耗Eon，第一次关断能量损耗Eoff | |
| 斜率参数 | 第二次开通电流斜率di/dt(on)，第一次关断电压斜率dv/dt(off) | |
| 第一次关断电压尖峰 | 第一次关断电压尖峰Vdsmax | |
| 开关特性 | Vgs vs.t，Vds vs.t，Id vs.t | |
| 钳位电路测试(下管，仅GaN测试板支持) | 导通电阻 | 导通电阻Rds(on) |
| 开关特性 | 钳位Vds vs.t | |
| 反向恢复测试(上、下管) | 二极管反向恢复参数 | 二极管反向恢复电流最大值Irrm，二极管反向恢复电压最大值Vrrm，二极管反向恢复电流斜率最大值-dirr/dt，二极管反向恢复电压斜率最大值dv/dt(Diode) |
| 二极管导通电压 | 二极管导通电压Vsd | |
| 开关特性 | 二极管Id vs.t，二极管Vds vs.t | |
| 栅极电荷(下管) | 总栅极电荷 | 总栅极电荷Qg |
| 栅极电荷曲线 | 栅极电荷曲线Vgs vs.t | |
| 开关特性 | Ig vs.t |
电气特 性
| 类型 | 指标 | 规格 |
|---|---|---|
| 通用 | 采样率：6.25 Gsa/s，采样精度：12 ppb + 75 ppb/年，时延校准精度：200ps(典型值) | |
| 漏极/集电极 | 最大电压 | 高压板：2000V 中压板：1000V 低压板：150V |
| 最大电流 | 高压板：500A@2000V 中压板：500A@1000V 低压板：500A@150V | |
| 最大短路电流 | 1200A | |
| 测量精度 | 电压精度：土2% 读数(典型值) 电流精度：士2% 读数(典型值) | |
| 采样电阻带宽 | 400 MHz, 1.2GHz, 2GHz(可选) | |
| 栅极 | 高电平电压 | 3V ~ 23V |
| 低电平 | -2V ~ -17V | |
| 电压分辨率 | 0.1V(典型值) | |
| 最大电流 | 高压板：14A 中压板：14A 低压板：7A | |
| 测量精度 | 电压精度：土2% 读数(典型值) 电流精度：士2% 读数(典型值) | |
| 第一脉冲宽度 | 0.1~200 μs(典型值) | |
| 其他附件 | 负载空心电感 | 负载空心电感10μH/ 20 μH/ 50μH/ 100 μH/ 200 μH/ 600μH（可定制） |
| 电容 | 高压板(HV,2000V)：>40μF 中压板(MV,1000V)：>160μF 低压版(LV,150V)：>12mF |
DUT
| 类型 | 规格 |
|---|---|
| 单管 | MOSFET、 IGBT |
| 材料 | Si、SiC、GaN |
| 封装 | TO-247-3/4、TO-220、TO-263、TO-263-7、TO-252、SOT23-6L、SOT223、SOT23-3L、SOP8、DFN8x8、DFN5x6、DFN3x3、DFN3.3x3.3、DFN2x2、TOLL、LFPAK88、DPAK、D2PAK(可定制) |
