用途场景
研发
实验室研发、新产品开发、技术研究
生产
生产线检测、工艺控制、制造过程监控
品控
质量检验、来料检测、成品测试
合规认证
计量检测、仪器校准、精度验证
教学实训
教学实验、技能培训、实训演示
维修
设备维修、故障诊断、维护保养
规格参数
产品概览
高低温真空电参数测试系统是半导体材料与器件研发的核心表征平台，通过精确控制温度、真空、气氛等极端环境，实现对微纳器件直流、交流、脉冲、光电等多维度电性能的高精度测试。
产品介绍
· 导体研发核心平台极端环境精准测试
· 全域环境可控解锁材料器件本征电性能
· 高低温+真空+气氛多场景极端条件模拟
· 直流/交流/脉冲/光电多维度电参数高精 度表征
主要应用领域
| 先进半导体材料研发 | 宽禁带材料 | SiC、GaN、Ga₂O₃、金刚石 |
| 低维材料 | 石墨烯、碳纳米管、过渡金属硫族化合物 (TMDCs) 、 拓扑绝缘体 | |
| 新型薄膜 | 钙钛矿、有机半导体、二维电子气(2DEG) | |
| 功能材料 | 超导、磁性、热电、压电材料 | |
| 新型器件与集成电路 | 先进晶体管 | MOSFET、FinFET、TFET、Nanosheet、忆阻器 |
| 光电器件 | LED、LD、光电探测器 (PD)、 太阳能电池 | |
| 功率器件 | IGBT、FRD、功率MOSFET | |
| MEMS/NEMS | 传感器、执行器、谐振器 | |
| 可靠性与失效物理分析 | 高温/低温/真空下器件稳定性、漂移、老化机制 | |
| 热载流子效应 (HCI)、 偏压温度不稳定性 (BTI) | ||
| 电介质击穿、漏电通道、缺陷态(深能级)分析 | ||
| 基础物理研究 | 载流子输运、霍尔效应、量子霍尔效应、弱局域化 | |
| 界面态、接触电阻、势垒、介电常数、极化效应 |
核心测试内容
| 直流I-V测试 | 电流：100fA～1A ( 飞安级) 电压： μV~200V | 阈值电压 (Vth)、 开关比 (lon/loff)、 漏电流 (Leakage)、 击穿电压(VBR)、输出/转移特性、导通电阻 (Rds (on))、跨导 (gm) |
| 电容特性测试 | 电容-电压(C-V) 电容-频率(C-f) 频率：1kHz～10 MHz | 测试结电容、氧化层电容、载流子浓度分布 (Nd/Na)、 平带电压 (Vfb)、 界面态 (Dit) |
| 脉冲I-V/瞬态 | 脉冲宽度**<10ns** | 测试瞬态响应、自热效应、电荷俘获/释放、器件动 态功耗 |
技术参数
| 测试内容 | IV、CV、Pulse IV | |
| 电压 | 最高：200v 分辨率：10nv | |
| 电流 | 最大：10A 分辨率：0.1fA | |
| Pulse | 最高电压：40v 最小宽度：10μs | |
| 温度控制 | 温度控制方式：液氮制冷，电阻加热 温度控制范围：-196℃~250℃ 温度稳定性：±1℃ | |
| 探针台 | 操作方式 | 手动 |
| 样品台 | 尺寸：35×35mm 材质：铜镀镍 可调节探针：4根 探针位移精度：2μm |
